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iPhone6Plus需召回苹果回应是虚

2019/05/14 来源:宝鸡信息港

导读

11月4日有消息称消息,苹果在今年9月推出了一代智能iPhone6和iPhone 6 Plus。虽然大受用户欢迎,不过同时也有很多问题出

11月4日有消息称消息,苹果在今年9月推出了一代智能iPhone6和iPhone 6 Plus。虽然大受用户欢迎,不过同时也有很多问题出现。iPhone 6 Plus曲折门事件余音未消,又有消息显示iPhone6Plus会频繁死机。

AppleInsider在10月23道称,众多用户在论坛发帖抱怨iPhone 6 Plus系统崩溃、或不断重开机的问题,目前还不清楚故障是什么原因。有用户已经因此连续更换了四部iPhone6 Plus。

据韩国媒体报道,这些问题主要发生在128GB版iPhone 6 Plus,可能跟3阶贮存单元(TLC)NAND型快闪记忆体(NAND flash)的控制IC有关联,倘若真是如此,苹果或许会展开大规模的召回行动。

TLC flash是一种固态的NANDFlash,每一个快闪媒介单元都能贮存3位元的资料,容量为单阶贮存单元(SLC)、多阶储存单元(MLC)的两到三倍之多。另外,TLC更加廉价,在读取和写入速度方面,TLC的速度也不如SLC或MLC。

据称,苹果为了节省本钱而在128GBiPhone 6 Plus 与其他一些型号使用了TLC。而在此之前,TLC都只用在部分iPad上,而价格更高、稳定度更高的MLC则应用于iPhone。

上很多报道显示,读取性能差的三星SSD840和840EVO使用了TLC闪存,因此控制器集成电路的问题被认为是致使缺点的可能缘由。随着对SSD840和840EVO争议的上升,三星不得不升级了固件。部份业界人士认为,倘若TLC真的是iPhone 6 Plus 系统崩溃的主因,那么苹果或许会召回已出售的所有产品。

但是,对此iFixit表示,iPhone 6 Plus采用的是海力士H2JTDG8UD1BMS,虽然海力士没有标明该NAND的存储器控制TLC还是MLC(只归类为E2NAND 3.0),但实际上其就是16nm NAND MLC Flash Memory(是MLC而不是TLC)。

另外,有苹果内部人士透露,对于iPhone 6 Plus因质量召回说法,完全是虚假的,由于该机完全没有问题,之前苹果论坛出现的反馈,是用户自己操作不当引起。

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